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名称:德国Sentech ICP-RIE SI 500 等离子刻蚀机
编号:
功率:
芯片数量:
详细介绍

Sentech ICP-RIE SI 500:

超高密度等离子体

纳米结构损伤小

由于离子能量分布较低,可以实现低损伤蚀刻和纳米结构。       

简单高速腐蚀

高长径比MEMS用硅的高速率蚀刻是很容易进行的,无论是使用室温工艺或光滑侧壁的低温工艺。       

室内等离子体等离子体源

平面三螺旋天线(PTSA)源是Sentech高端等离子体加工系统的一个独特特点。PTSA源产生离子密度高、离子能量分布均匀的等离子体。它具有耦合效率高和良好的点火性能,可加工多种材料和结构。       

动态温度控制

             

衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极,结合He背面冷却和基片背面温度传感,在-150℃+400℃的大范围温度范围内,提供了优良的工艺条件。      

 

SI 500代表了电感耦合等离子体(ICP)加工在研究和生产上的领先优势。它以PTSA等离子体源、动态控温基片电极、全控真空系统、先进的Sentech 控制软件为基础,采用远程现场总线技术,为操作SI 500提供了非常人性化的通用用户界面。灵活性和模块化是SI 500的设计特点。       

从直径200毫米的晶圆片到载于载体上的各种基片,都可以在SI 500 ICP蚀刻机中加工。单片真空负荷锁,工艺条件稳定,工艺切换方便。       

SI 500 ICP蚀刻机可用于加工多种材料,包括但不限于III-V复合半导体(GaAsInPGaNInSb)、介质、石英、玻璃、硅、硅化合物(SiCSiGe)和金属。       

Sentech 提供不同的自动化水平,从真空盒式磁带加载到一个过程室,多达六个端口集群,具有不同的蚀刻和沉积模块,目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500也可以作为集群配置上的进程模块使用。    

   


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